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半导体器件、其制造方法及摄影机

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200410075206.7
  • IPC分类号:H01L27/14;H04N5/225
  • 申请日期:
    2004-09-03
  • 申请人:
    松下电器产业株式会社
著录项信息
专利名称半导体器件、其制造方法及摄影机
申请号CN200410075206.7申请日期2004-09-03
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2005-03-09公开/公告号CN1591887
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L27/14IPC分类号H;0;1;L;2;7;/;1;4;;;H;0;4;N;5;/;2;2;5查看分类表>
申请人松下电器产业株式会社申请人地址
美国加利福尼亚州 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人克莱博创新有限公司当前权利人克莱博创新有限公司
发明人田中浩司
代理机构永新专利商标代理有限公司代理人胡建新
摘要
本发明提供半导体器件、其制造方法及摄影机。半导体器件具有通过光电转换传输存储电荷的传输沟道部(12)、在传输沟道部(12)上形成的绝缘膜(13)、用于通过绝缘膜(13)将传输电压施加到传输沟道部(12)的传输电极(15),绝缘膜(13)具有第1膜厚和比第1膜厚薄的第2膜厚,在与传输沟道(12)的传输方向垂直的宽度方向上的传输电极(15)的端部之下的绝缘膜(13)的膜厚为第1膜厚,在与传输方向垂直的宽度方向上的传输沟道部(12)的中央部之上的绝缘膜(13)的膜厚为第2膜厚。

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