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二氧化锆掺杂改性钛酸鍶钡-氧化镁基复合材料及其制备方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200510110615.0
  • IPC分类号:C04B35/04;C04B35/462;C04B35/468;C04B35/622
  • 申请日期:
    2005-11-23
  • 申请人:
    中国科学院上海硅酸盐研究所
著录项信息
专利名称二氧化锆掺杂改性钛酸鍶钡-氧化镁基复合材料及其制备方法
申请号CN200510110615.0申请日期2005-11-23
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2006-06-28公开/公告号CN1793006
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C04B35/04IPC分类号C;0;4;B;3;5;/;0;4;;;C;0;4;B;3;5;/;4;6;2;;;C;0;4;B;3;5;/;4;6;8;;;C;0;4;B;3;5;/;6;2;2查看分类表>
申请人中国科学院上海硅酸盐研究所申请人地址
上海市定西路1295号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中国科学院上海硅酸盐研究所当前权利人中国科学院上海硅酸盐研究所
发明人董显林;梁瑞虹
代理机构上海智信专利代理有限公司代理人潘振甦
摘要
本发明涉及一种二氧化锆掺杂改性钛酸鍶钡-氧化镁基(Ba1-xSrxTiO3/MgO)复合材料及其制备方法。所述材料是以钛酸鍶钡和氧化镁为基体,并在此基础上进行微量氧化锆的掺杂改性,组成为:(1-y)Ba1-xSrxTiO3+yMgO+zZrO2,其中0.35≤x≤0.45,y=50wt%,0wt%<z≤3.0wt%。其制备工艺是将原料BaCO3,SrCO3,TiO2按固相法制备得到Ba1-xSrxTiO3(BSTO)粉体,然后根据组成设计,将BSTO粉体和不同量的MgO和ZrO2混合制备所述的复合材料。结果表明氧化锆的掺杂大大提高了介电常数的可调性,使得该类材料在偏置电场2.5kV/mm下具有14~17%的可调性并具有低介电常数、低微波损耗、良好温度稳定性等特点,特别适合相控阵移相器等微波器件用。

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