CdZnSeS量子点的制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201210179759.1
IPC分类号：C09K11/88
申请日期：
2012-06-01
申请人：
广东普加福光电科技有限公司

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著录项信息

专利名称	CdZnSeS量子点的制备方法
申请号	CN201210179759.1	申请日期	2012-06-01
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2012-09-19	公开/公告号	CN102676174A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C09K11/88 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C0 化学 C09 染料；涂料；抛光剂；天然树脂；黏合剂；其他类目不包含的组合物；其他类目不包含的材料的应用 C09K 不包含在其他类目中的各种应用材料；不包含在其他类目中的材料的各种应用 C09K11/00 发光材料，例如电致发光材料、化学发光材料〔2〕 C09K11/08 含无机发光材料〔2〕 C09K11/88 含硒、碲或未指明的硫属元素〔4〕	IPC分类号	C;0;9;K;1;1;/;8;8查看分类表>
申请人	广东普加福光电科技有限公司	申请人地址	广东省江门市国家高新区汇源街1号高薪技术创业服务中心大楼308室变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	广东普加福光电科技有限公司	当前权利人	广东普加福光电科技有限公司
发明人	张涛;李晓红;刘江国;李阳
代理机构	广州新诺专利商标事务所有限公司	代理人	华辉

摘要

本发明涉及一种CdZnSeS量子点的制备方法，其包括如下步骤：1）将锌源、硒源和有机溶剂混合搅拌均匀，通入保护气，加热至220～290℃；或者将无机锌化合物、硒源、脂肪酸和有机溶剂混合搅拌均匀，通入保护气，加热至220～290℃；2）在搅拌下缓慢滴加镉源，实时监测中间产物的荧光发射峰的波长，当达到目标产物荧光发射峰的波长时，停止滴加镉源；3）缓慢滴加化学计量的硫源或硫源和锌源的混合液；4）在220～290℃反应0.5～24h后得到不同发射波长的CdZnSeS量子点。本发明的CdZnSeS量子点的制备方法操作简单，反应过程连续、稳定，无需采用快速注射的方法，降低了对生产设备的要求，反应温度较低。可以根据实时监测结果通过调节镉源的加入量来控制产物的荧光发射光谱。

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