一种沟槽MOSFET功率整流器件及制造方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201010181358.0
IPC分类号：H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336;H01L21/28;H01L27/088;H01L21/8234
申请日期：
2010-05-21
申请人：
上海新进半导体制造有限公司

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著录项信息

专利名称	一种沟槽MOSFET功率整流器件及制造方法
申请号	CN201010181358.0	申请日期	2010-05-21
法律状态	驳回	申报国家	中国
公开/公告日	2011-11-23	公开/公告号	CN102254944A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L29/78 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L29/00 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L 31/00至H01L 47/00，H01L 51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L 23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L 27/00）〔2，6〕 H01L29/66 按半导体器件的类型区分的〔2〕 H01L29/68 只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的（H01L 29/96优先）〔2〕 H01L29/76 单极器件〔2〕 H01L29/772 场效应晶体管〔6〕 H01L29/78 由绝缘栅产生场效应的〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;9;/;7;8;;;H;0;1;L;2;9;/;4;2;3;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;6;;;H;0;1;L;2;1;/;2;8;;;H;0;1;L;2;7;/;0;8;8;;;H;0;1;L;2;1;/;8;2;3;4查看分类表>
申请人	上海新进半导体制造有限公司	申请人地址	上海市徐汇区宜山路800号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海新进半导体制造有限公司	当前权利人	上海新进半导体制造有限公司
发明人	龙涛;王乙明;金钟元
代理机构	北京集佳知识产权代理有限公司	代理人	李秋香;逯长明

摘要

一种沟槽MOSFET功率整流器件，第一导电类型的衬底；从第一导电类型的衬底的上表面延伸到衬底中的第一沟槽，第一沟槽通过台面区域隔开；在台面区域表面形成第一导电类型的源区；在源区下面形成第二导电类型的体区；第一沟槽的侧壁和底部均具有栅氧化层，且第一沟槽的底部栅氧化层厚度大于第一沟槽的侧壁栅氧化层厚度；第一沟槽内有掺杂多晶硅填充，形成栅多晶硅；上表面与第一导电类型的源区、第二导电类型的体区和所述栅多晶硅形成欧姆接触的第一个电极；以及，在第一导电类型的衬底的下表面的第二个电极。本发明提供一种沟槽MOSFET功率整流器件及制作方法，使得沟槽MOSFET功率整流器件的沟槽底部能承受高反向电压下高的电场强度。

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