顶栅型阵列基板制备工艺

发明专利有效专利

申请号：
CN201810326088.4
IPC分类号：H01L27/12;H01L21/77;H01L21/336
申请日期：
2018-04-12
申请人：
京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司

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专利名称	顶栅型阵列基板制备工艺
申请号	CN201810326088.4	申请日期	2018-04-12
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2018-09-04	公开/公告号	CN108493197A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L27/12 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L27/00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件（其零部件入H01L 23/00，H01L 29/00至H01L 51/00；由多个单个固态器件组成的组装件入H01L 25/00）〔2，8〕 H01L27/02 包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的〔2〕 H01L27/12 其衬底为非半导体的，例如为绝缘体的〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;7;/;1;2;;;H;0;1;L;2;1;/;7;7;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;6查看分类表>
申请人	京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司	申请人地址	北京市朝阳区酒仙桥路10号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	京东方科技集团股份有限公司,合肥鑫晟光电科技有限公司	当前权利人	京东方科技集团股份有限公司,合肥鑫晟光电科技有限公司
发明人	刘宁;周斌;方金钢;王明
代理机构	北京志霖恒远知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	郭栋梁

摘要

本申请公开了一种顶栅型阵列基板制备工艺，包括在栅极绝缘层上形成栅极层且不去除形成所述栅极层所用的第一光刻胶；在所述栅极绝缘层上需要刻蚀的位置之外设置第二光刻胶并进行刻蚀直至露出栅极层正投影下方之外的有源层；去除所述第一光刻胶和所述第二光刻胶。根据本申请实施例提供的技术方案，在栅极层形成之后不进行第一光刻胶的剥离，接着在栅极绝缘层上设置第二光刻胶对栅极绝缘层进行刻蚀，能够顺利的对栅极绝缘层进行刻蚀，不会出现栅极绝缘层不同位置刻蚀程度不一致，对后续工艺产生影响的情况，能够有效提升屏幕的显示效果和产品质量。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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该专利没有被任何外部专利所引用！

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