一种高比表面积硼掺杂金刚石电极及其制备方法和应用

发明专利有效专利

申请号：
CN201610919507.6
IPC分类号：C23C16/02;C23C16/27;C23C16/56;C25B11/04;G01N27/26;C02F1/461;C02F101/30
申请日期：
2016-10-21
申请人：
中南大学

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专利名称	一种高比表面积硼掺杂金刚石电极及其制备方法和应用
申请号	CN201610919507.6	申请日期	2016-10-21
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2017-02-22	公开/公告号	CN106435518A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C23C16/02 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕 C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆（挤压法制造包覆金属的产品入B21C23/22；通过将预先存在的薄层连接到制品上的方法用金属进行镀覆处理的见各有关位置，例如B21D39/00，B23K；玻璃的金属化入C03C；砂浆、混凝土、人造石、陶瓷或天然石的金属化入C04B41/00；金属的搪瓷或向金属上镀覆玻璃体层入c23D；用电解法或电泳法处理金属表面或镀覆金属入C25D；单晶膜生长入C30B；纺织品的金属化入D06M11/83；用局部金属化法装饰纺织品入D06Q1/04）〔4〕 C23C16/00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积（CVD）工艺（反应溅射或真空蒸发入C23C 14/00）〔4〕 C23C16/02 待镀材料的预处理（C23C 16/04优先）〔4〕	IPC分类号	C;2;3;C;1;6;/;0;2;;;C;2;3;C;1;6;/;2;7;;;C;2;3;C;1;6;/;5;6;;;C;2;5;B;1;1;/;0;4;;;G;0;1;N;2;7;/;2;6;;;C;0;2;F;1;/;4;6;1;;;C;0;2;F;1;0;1;/;3;0查看分类表>
申请人	中南大学	申请人地址	江苏省南京市六合区龙池街道雄州南路339号恒利园区222幢二单元302室变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	南京岱蒙特科技有限公司	当前权利人	南京岱蒙特科技有限公司
发明人	魏秋平;周科朝;马莉;张龙;余志明
代理机构	长沙市融智专利事务所	代理人	颜勇

摘要

一种高比表面积硼掺杂金刚石(BDD)电极，包括电极衬底，所述电极衬底表面设置一层硼掺杂金刚石层，或在衬底表面设置一层过渡层后，再在过渡层表面设置一层硼掺杂金刚石层，在金刚石层中分布有金属颗粒，在金刚石层表面分布有微孔和/或尖锥。相对于传统的平板电极，本发明的硼掺杂金刚石电极含有大量微孔和尖锥，具有极高的比表面积，用较低的电流密度提供较大的电流强度；同时，配合衬底的不同的电极构型及表面石墨烯和/或碳纳米管(CNT)的修饰，能够极大地改善传质过程，较大地提高电流效率和电化学性能，制备出电催化活性高、使用效率高的BDD电极。本电极可广泛应用于电化学污水净化处理、电化学生物传感器、强氧化剂电化学合成、电化学检测等领域。

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