晶片的封装装置及其散热件与散热件的制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201710436634.5
IPC分类号：H01L23/367;H01L23/373;H01L23/04
申请日期：
2017-06-12
申请人：
百容电子股份有限公司

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专利名称	晶片的封装装置及其散热件与散热件的制造方法
申请号	CN201710436634.5	申请日期	2017-06-12
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2018-12-18	公开/公告号	CN109037172A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/367 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/34 冷却装置；加热装置；通风装置或温度补偿装置〔2，5〕 H01L23/36 为便于冷却或加热对材料或造型的选择，例如散热器〔2〕 H01L23/367 为便于冷却的器件造型〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;3;6;7;;;H;0;1;L;2;3;/;3;7;3;;;H;0;1;L;2;3;/;0;4查看分类表>
申请人	百容电子股份有限公司	申请人地址	中国台湾台中市变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	百容电子股份有限公司	当前权利人	百容电子股份有限公司
发明人	陈昀希
代理机构	北京泰吉知识产权代理有限公司	代理人	史瞳;张君睿

摘要

一种晶片的封装装置，包含基板及被粘结在基板的一层胶料上且与该基板界定出一个容纳空间的散热件，该容纳空间供电连接于该基板的晶片容纳，该散热件包含：面向该晶片且与该晶片相隔一个间隙的基壁，及连接在该基壁的周围的围绕壁。该围绕壁包括供胶料渗入的数个皿孔。每一皿孔具有第一孔段、第二孔段，及介于并连接该第一孔段与该第二孔段间且孔径最小的衔接段，该衔接段供胶料覆盖。该散热件的制造方法包含下列步骤：以穿孔冲头沿冲击方向冲击并贯穿该散热件的围绕壁形成穿孔；及以迫挤冲头沿冲击方向相对该穿孔冲击该散热件的围绕壁并迫挤穿孔周围的金属材料。借此，加强该散热件与该基板的结合保持力，进一步提升结合强度。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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