晶圆键合方法及异质衬底制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201710076760.4
IPC分类号：H01L21/02;H01L21/762;B81C3/00
申请日期：
2017-02-13
申请人：
中国科学院上海微系统与信息技术研究所

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专利名称	晶圆键合方法及异质衬底制备方法
申请号	CN201710076760.4	申请日期	2017-02-13
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2017-05-24	公开/公告号	CN106711027A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/02 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;0;2;;;H;0;1;L;2;1;/;7;6;2;;;B;8;1;C;3;/;0;0查看分类表>
申请人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	申请人地址	上海市嘉定区新徕路168号2幢2层A区变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海新硅聚合半导体有限公司	当前权利人	上海新硅聚合半导体有限公司
发明人	黄凯;欧欣;张润春;游天桂;王曦
代理机构	上海泰能知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	暂无

摘要

本发明提供一种晶圆键合方法及异质衬底制备方法，所述晶圆键合方法至少包括S1提供第一晶圆及第二晶圆，其中，所述第一晶圆具有第一键合面，所述第二晶圆具有第二键合面；S2对所述第一晶圆及所述第二晶圆进行键合前预加热处理；S3将所述第一晶圆的第一键合面与所述第二晶圆的第二键合面进行键合。通过上述方案，本发明对晶圆键合前预加热，可以有效降低异质键合结构在高温后退火中的热应变，进而扩大异质键合的使用范围，提高异质集成材料的可靠性；同时，解决异质键合结构在高温后退火工艺中，因为热应变而发生的解键合以及键合结构碎裂的问题。

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