一种高纯、铝掺杂碳化硅粉及其合成方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201410688166.7
IPC分类号：C01B32/984
申请日期：
2014-11-25
申请人：
德清州晶新材料科技有限公司

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著录项信息

专利名称	一种高纯、铝掺杂碳化硅粉及其合成方法
申请号	CN201410688166.7	申请日期	2014-11-25
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2015-03-25	公开/公告号	CN104445202A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C01B32/984 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C0 化学 C01 无机化学 C01B 非金属元素；其化合物（制备元素或二氧化碳以外无机化合物的发酵或用酶工艺入C12P 3/00；用电解法或电泳法生产非金属元素或无机化合物入C25B） C01B31/36 （转入C01B 32/956-C01B 32/991） C01B32/90 碳化物〔2017.01〕 C01B32/914 单一元素碳化物〔2017.01〕 C01B32/956 碳化硅〔2017.01〕 C01B32/97 通过 SiO or SiO2制备〔2017.01〕 C01B32/984 通过硅元素制备〔2017.01〕	IPC分类号	C;0;1;B;3;2;/;9;8;4查看分类表>
申请人	德清州晶新材料科技有限公司	申请人地址	浙江省湖州市德清县武康镇长虹中街333号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	德清州晶新材料科技有限公司	当前权利人	德清州晶新材料科技有限公司
发明人	陈启生;高升吉;朱钢;李汉亮
代理机构	北京市盛峰律师事务所	代理人	于国富

摘要

本发明公开了一种高纯、铝掺杂碳化硅粉及其合成方法，涉及碳化硅半导体材料领域。碳化硅粉纯度高，达到99.999％；采用一次合成方法，工艺流程少，生产设备简单，操作易行，容易实现规模化生产；该方法如果原料硅粉采用掺杂铝的单晶硅或太阳能多晶硅，不但有利于对废弃的单晶硅或太阳能多晶硅的回收利用，防止对环境造成污染；而且得到的碳化硅粉为铝掺杂碳化硅粉，可以作为生产无色透明碳化硅晶体或p型掺杂碳化硅晶体的原料。

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