具有金属硫氧化物窗口层的光伏装置

发明专利无效专利

申请号：
CN201180056075.6
IPC分类号：H01L31/0296;H01L31/032;H01L31/072;H01L31/073;H01L31/074;H01L31/0749
申请日期：
2011-09-22
申请人：
第一太阳能有限公司

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著录项信息

专利名称	具有金属硫氧化物窗口层的光伏装置
申请号	CN201180056075.6	申请日期	2011-09-22
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2013-10-09	公开/公告号	CN103348488A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L31/0296 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L31/00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；其零部件（H01L 51/42优先；由形成在一共用衬底内或其上的多个固态组件，而不是辐射敏感元件与一个或多个电光源的结合所组成的器件入H01L 27/00）〔2，6，8〕 H01L31/0248 以其半导体本体为特征的〔5〕 H01L31/0256 以材料为特征的〔5〕 H01L31/0264 无机材料〔5〕 H01L31/0296 除掺杂或其他杂质外，只包含AⅡBⅥ化合物，如CdS、ZnS、HgCdTe〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;1;/;0;2;9;6;;;H;0;1;L;3;1;/;0;3;2;;;H;0;1;L;3;1;/;0;7;2;;;H;0;1;L;3;1;/;0;7;3;;;H;0;1;L;3;1;/;0;7;4;;;H;0;1;L;3;1;/;0;7;4;9查看分类表>
申请人	第一太阳能有限公司	申请人地址	美国俄亥俄州佩里斯堡变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	第一太阳能有限公司	当前权利人	第一太阳能有限公司
发明人	邵锐;马库思·格鲁克勒尔;本雅明·布勒
代理机构	北京铭硕知识产权代理有限公司	代理人	韩芳;刘奕晴

摘要

描述了光伏装置和基底结构的装置和方法。在一个实施例中，光伏装置包括基底和形成在基底上方的MS1?XOX窗口层，其中，M是由Zn、Sn和In组成的组中的元素。另一实施例意在一种制造光伏装置的工艺，所述制造光伏装置的工艺包括通过溅射、蒸发沉积、CVD、化学浴沉积工艺和气相传输沉积工艺中的至少一种在基底上方形成MS1?XOX窗口层，其中，M是由Zn、Sn和In组成的组中的元素。

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