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一种基于CMOS工艺的光敏二极管

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201710646259.7
  • IPC分类号:H01L31/0352;H01L31/02
  • 申请日期:
    2017-07-28
  • 申请人:
    深圳市汇春科技股份有限公司
著录项信息
专利名称一种基于CMOS工艺的光敏二极管
申请号CN201710646259.7申请日期2017-07-28
法律状态暂无申报国家中国
公开/公告日2018-01-05公开/公告号CN107546286A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L31/0352IPC分类号H;0;1;L;3;1;/;0;3;5;2;;;H;0;1;L;3;1;/;0;2查看分类表>
申请人深圳市汇春科技股份有限公司申请人地址
广东省深圳市龙岗区布吉街道白鸽笼华美工业区综合楼二楼西边(办公住所) 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人深圳市汇春科技股份有限公司当前权利人深圳市汇春科技股份有限公司
发明人肖永贵;石开伟;廖晓鹰;邓青秀
代理机构广州嘉权专利商标事务所有限公司代理人唐致明
摘要
本发明公开了一种基于CMOS工艺的光敏二极管,其包括阻挡层、本征层、Diode、N阱区、离子注入区、场氧区,其中所述各层按照N阱区、离子注入区、Diode、场氧区、本征层、阻挡层的从下到上的顺序依次排布;所述光敏二极管在场氧区的宽、长均为13~15um。通过限定各层之间的间距及场氧区的面积等,从而增加该光敏二极管在单位时间里对光电子的吸收量,进而提高了光敏二极管的灵敏度,其解决了光敏二极管的灵敏度、暗电流与光电流的转移关系,同时解决了感光二极管吸收不同频率波长光的临界值,使得光电子信号转为可定向控制的逻辑信号,广泛应用于二极管领域。

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