存储芯片测试电路装置和测试方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201811032357.2
IPC分类号：G11C29/56
申请日期：
2018-09-05
申请人：
长鑫存储技术有限公司

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著录项信息

专利名称	存储芯片测试电路装置和测试方法
申请号	CN201811032357.2	申请日期	2018-09-05
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2018-11-13	公开/公告号	CN108806762A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G11C29/56 ? IPC结构图谱： G 物理 G9 G部其他 G11 信息存储 G11C 静态存储器（基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储入G11B；半导体存储器件入H01L，例如一般脉冲技术入H03K，例如，电子开关入H03K17/00） G11C29/00 存储器正确运行的校验；备用或离线操作期间测试存储器〔1，8〕 G11C29/56 用于静态存储器的外部测试装置，例如，自动测试设备〔ATE〕；所用接口〔8〕	IPC分类号	G;1;1;C;2;9;/;5;6查看分类表>
申请人	长鑫存储技术有限公司	申请人地址	安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	长鑫存储技术有限公司	当前权利人	长鑫存储技术有限公司
发明人	杨正杰
代理机构	北京市铸成律师事务所	代理人	王珺;徐瑞红

摘要

本发明提供了一种存储芯片测试电路装置以及方法，第一存储阵列输出的第一测试数据通过第一压缩电路进行压缩，生成第一压缩数据。第二存储阵列输出的第二测试数据通过第二压缩电路进行压缩，生成第二压缩数据。利用第三压缩电路对第一压缩数据和第二压缩数据进行再次压缩，生成第三压缩数据。不仅可以将生成的第一压缩数据输出，还可以通过多路复用器选择输出第二压缩数据和第三压缩数据中的一种。不仅能够得到存储芯片是否失效的检测结论，还可以得到存储芯片中第一存储阵列以及第二存储阵列失效的检测结论，精确定位失效位置。测试机通过连接一个端口能够得到存储芯片以及存储阵列的失效情况，提高了测试效率。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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