下电极结构及半导体加工设备

发明专利无效专利

申请号：
CN201610991863.9
IPC分类号：H01J37/32
申请日期：
2016-11-10
申请人：
北京北方华创微电子装备有限公司

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著录项信息

专利名称	下电极结构及半导体加工设备
申请号	CN201610991863.9	申请日期	2016-11-10
法律状态	驳回	申报国家	中国
公开/公告日	2018-05-25	公开/公告号	CN108074787A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01J37/32 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01J 放电管或放电灯（火花隙入H01T；消耗电极的弧光灯入H05B；粒子加速器入H05H） H01J37/00 有把物质或材料引入使受到放电作用的结构的电子管，例如为了对其检验或加工的（H01J 33/00、H01J 40/00、H01J 41/00、H01J 47/00、H01J 49/00优先）〔2，5〕 H01J37/32 充气放电管（放电加热的入H05B）	IPC分类号	H;0;1;J;3;7;/;3;2查看分类表>
申请人	北京北方华创微电子装备有限公司	申请人地址	北京市经济技术开发区文昌大道8号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	北京北方华创微电子装备有限公司	当前权利人	北京北方华创微电子装备有限公司
发明人	苏恒毅;昌锡江;韦刚
代理机构	北京天昊联合知识产权代理有限公司	代理人	彭瑞欣;刘悦晗

摘要

本发明提供一种下电极结构及半导体加工设备，其包括用于承载晶片的载片台，在载片台内设置有第一电极，通过向第一电极加载第一偏压，在晶片的上表面形成负偏压；并且，在载片台的外周壁上环绕设置有介质组件，用以阻挡等离子体接触载片台的外周壁，以及限定晶片的位置。下电极结构还包括第二电极，该第二电极设置在介质组件中，通过向第二电极加载第二偏压，在介质组件的上表面形成第二负偏压。本发明提供的下电极结构，其可以调节晶片边缘处的电场强度和方向，从而可以消除因边缘效应导致的工艺形貌畸变，进而可以提高晶片良率。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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