首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据，仅供参考，实际以国家知识产权局展示为准

用于具有对准的深沟槽接触的三维(3D)阵列的方法和设备

发明专利有效专利

申请号：
CN201980088444.6
IPC分类号：H01L43/08;H01L43/12;G11C11/16
申请日期：
2019-11-05
申请人：
NEO半导体公司

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	用于具有对准的深沟槽接触的三维(3D)阵列的方法和设备
申请号	CN201980088444.6	申请日期	2019-11-05
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-09-14	公开/公告号	CN113396489A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L43/08 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L43/00 应用电—磁或者类似磁效应的器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备（由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L 27/00）〔2〕 H01L43/08 磁场控制的电阻器〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;4;3;/;0;8;;;H;0;1;L;4;3;/;1;2;;;G;1;1;C;1;1;/;1;6查看分类表>
申请人	NEO半导体公司	申请人地址	美国加利福尼亚州变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	NEO半导体公司	当前权利人	NEO半导体公司
发明人	许富菖
代理机构	广州华进联合专利商标代理有限公司	代理人	黄隶凡

摘要

公开了用于具有对准的深沟槽接触的三维(3D)阵列的方法和设备。在一实施例中，一种方法包括形成具有导体层和绝缘体层的阵列堆叠体以及在阵列堆叠体的顶部上形成硬掩膜。硬掩膜包括多个孔。该方法还包括：在硬掩膜的顶部上形成回拉掩膜；以及对回拉掩膜进行蚀刻，从而露出硬掩膜的至少一个孔。该方法还包括通过硬掩膜的露出的一个或多个孔进行蚀刻，以去除阵列堆叠体的一个或多个层。

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供