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一种半导体器件布局结构

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202110288621.4
  • IPC分类号:H01L29/423;H01L27/088;H01L27/02
  • 申请日期:
    2021-03-18
  • 申请人:
    广东省大湾区集成电路与系统应用研究院;澳芯集成电路技术(广东)有限公司
著录项信息
专利名称一种半导体器件布局结构
申请号CN202110288621.4申请日期2021-03-18
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2021-06-29公开/公告号CN113054006A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/423IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;4;2;3;;;H;0;1;L;2;7;/;0;8;8;;;H;0;1;L;2;7;/;0;2查看分类表>
申请人广东省大湾区集成电路与系统应用研究院;澳芯集成电路技术(广东)有限公司申请人地址
广东省广州市开发区开源大道136号A栋 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人广东省大湾区集成电路与系统应用研究院,澳芯集成电路技术(广东)有限公司当前权利人广东省大湾区集成电路与系统应用研究院,澳芯集成电路技术(广东)有限公司
发明人苏炳熏;杨展悌;叶甜春;罗军;赵杰;薛静
代理机构无锡市汇诚永信专利代理事务所(普通合伙)代理人朱晓林
摘要
本发明公开了一种半导体器件布局结构,其可使半导体器件尺寸缩小,同时可确保半导体器件的电学性能,其包括衬底、布置于衬底上的源极区、漏极区、栅极区、连通源极区与漏极区的沟道、连接线,源极区、漏极区、栅极区均为主动区域,主动区域包括第一主动区域、第二主动区域,源极区、漏极区均包括若干间隔平行分布的第一主动区域,栅极区包括三个间隔平行分布的第二主动区域,且三个第二主动区域分别与源极区和漏极区的两侧端、中部垂直,连接线位于相邻两个第二主动区域之间,连接线与栅极区平行,与第一主动区域垂直相交,连接线的两端凸出于第一主动区域的两侧,或连接线位于第一主动区域的中部位置或边缘位置,第二主动区域的宽度为14nm。

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