具有可调谐能量带隙的半导体器件

发明专利无效专利

申请号：
CN200580037053.X
IPC分类号：H01S5/06;H01L33/00
申请日期：
2005-10-20
申请人：
皇家飞利浦电子股份有限公司

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法律信息

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著录项信息

专利名称	具有可调谐能量带隙的半导体器件
申请号	CN200580037053.X	申请日期	2005-10-20
法律状态	权利终止	申报国家	暂无
公开/公告日	2007-10-03	公开/公告号	CN101048922
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01S5/06 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01S 利用受激发射的器件 H01S5/00 半导体激光器〔7〕 H01S5/06 控制激光器输出参数的装置，例如控制激活介质〔7〕	IPC分类号	H;0;1;S;5;/;0;6;;;H;0;1;L;3;3;/;0;0查看分类表>
申请人	皇家飞利浦电子股份有限公司	申请人地址	荷兰艾恩德霍芬变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	皇家飞利浦电子股份有限公司	当前权利人	皇家飞利浦电子股份有限公司
发明人	A·R·巴尔克南德;E·P·A·M·巴克斯;L·F·费纳
代理机构	中国专利代理（香港）有限公司	代理人	张雪梅;陈景峻

摘要

本发明涉及能量带隙可以可逆地改变的半导体器件。本发明的思想是提供一种器件，其基于与在适当寻址时呈现出可逆体积变化的材料机械接触的半导电材料(306)，所述体积可逆变化的材料例如为相变材料(307)。该器件可例如用于发光器件、开关器件以及存储器。通过向相变材料施加局部体积膨胀，半导电材料可以可逆地应变。所得到的半导电材料的带隙变化可用于调谐从例如LED或激光器发射的光的颜色。在其它应用领域中，可控制半导体结的接触电阻，这一特征在存储器和开关中是非常有利的。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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