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粉末覆盖衬底加热CH3NH3PbI3钙钛矿薄膜制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201610834340.3
  • IPC分类号:H01L51/48
  • 申请日期:
    2016-09-20
  • 申请人:
    长春理工大学
著录项信息
专利名称粉末覆盖衬底加热CH3NH3PbI3钙钛矿薄膜制备方法
申请号CN201610834340.3申请日期2016-09-20
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2017-01-18公开/公告号CN106340591A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L51/48IPC分类号H;0;1;L;5;1;/;4;8查看分类表>
申请人长春理工大学申请人地址
吉林省长春市朝阳区卫星路7089号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人长春理工大学当前权利人长春理工大学
发明人王晓春;丁相宇;张希艳;柏朝晖;卢利平;米晓云;孙海鹰;刘全生;王能利
代理机构长春菁华专利商标代理事务所(普通合伙)代理人陶尊新
摘要
粉末覆盖衬底加热CH3NH3PbI3钙钛矿薄膜制备方法属于钙钛矿太阳能电池薄膜技术领域。现有技术工艺步骤复杂,对工艺条件要求高。本发明之粉末覆盖衬底加热CH3NH3PbI3钙钛矿薄膜制备方法先在衬底上制备PbI2薄膜,CH3NH3I在PbI2薄膜内与PbI2发生固相反应生成CH3NH3PbI3钙钛矿薄膜,其特征在于,将粒径为10~50μm的CH3NH3I晶体粉末均匀平铺在所述PbI2薄膜的表面,自衬底处加热为CH3NH3I和PbI2提供80~100℃的固相反应温度,经过8~10min完成所述固相反应。该制备方法简单,工艺条件宽松;产物薄膜呈多晶态,结构致密、结晶度高、晶粒尺寸达到微米级,在可见光波段具有良好的吸收,能够用作光伏领域中的吸光材料。

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