一种用于单晶硅生长炉的氩气分流装置

发明专利有效专利

申请号：
CN201410412556.1
IPC分类号：C30B15/00;C30B29/06
申请日期：
2014-08-20
申请人：
浙江晶盛机电股份有限公司

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专利名称	一种用于单晶硅生长炉的氩气分流装置
申请号	CN201410412556.1	申请日期	2014-08-20
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2014-12-17	公开/公告号	CN104213185A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B15/00 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B15/00 熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法（在保护流体下的入C30B 27/00）〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;1;5;/;0;0;;;C;3;0;B;2;9;/;0;6查看分类表>
申请人	浙江晶盛机电股份有限公司	申请人地址	浙江省绍兴市上虞市经济技术开发区通江西路218号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	浙江晶盛机电股份有限公司	当前权利人	浙江晶盛机电股份有限公司
发明人	曹建伟;朱亮;王巍;俞安州;孙明
代理机构	杭州中成专利事务所有限公司	代理人	周世骏

摘要

本发明涉及单晶炉氩气系统，旨在提供一种用于单晶硅生长炉的氩气分流装置。该种用于单晶硅生长炉的氩气分流装置包括氩气净化圈和顶面法兰，氩气净化圈之间用螺钉和圆柱销依次连接，顶面法兰安装在单晶炉的腔体顶部，上端的氩气净化圈的一端与顶面法兰连接；顶面法兰的上端开有通气孔，用于作为氩气的进入通道，每个氩气净化圈上都开有通气槽和通气孔，分别作为氩气净化圈上氩气的进口和出口。通过本发明的使用，能使进入炉体的氩气气流更加稳定均匀，保证炉体内气压及温度的稳定性，从而提高硅单晶棒的成晶率和成晶品质。

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