加载中...
首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据,仅供参考,实际以国家知识产权局展示为准

无定形氧化物和场效应晶体管

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201210322249.5
  • IPC分类号:H01L29/786;H01L21/428;H01L21/363
  • 申请日期:
    2005-11-09
  • 申请人:
    佳能株式会社;国立大学法人东京工业大学
著录项信息
专利名称无定形氧化物和场效应晶体管
申请号CN201210322249.5申请日期2005-11-09
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2013-02-20公开/公告号CN102938420A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/786
?
IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;7;8;6;;;H;0;1;L;2;1;/;4;2;8;;;H;0;1;L;2;1;/;3;6;3查看分类表>
申请人佳能株式会社;国立大学法人东京工业大学申请人地址
日本东京 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人佳能株式会社,国立大学法人东京工业大学当前权利人佳能株式会社,国立大学法人东京工业大学
发明人佐野政史;中川克己;细野秀雄;神谷利夫;野村研二
代理机构中国国际贸易促进委员会专利商标事务所代理人屠长存
摘要
本发明涉及无定形氧化物和场效应晶体管。所述无定形氧化物包含从由Li、Na、Mn、Ni、Pd、Cu、Cd、C、N、P、Ti、Ru和F所构成的组中选择的至少一种元素,并且所述无定形氧化物的电子载流子浓度为1012/cm3或更高且低于1018/cm3。其中,所述无定形氧化物是从由以下所构成的组中选择的任一种:包含从In、Zn和Sn中选择的至少一种元素的氧化物;含有In、Zn和Sn的氧化物;含有In和Zn的氧化物;含有In和Sn的氧化物;含有In的氧化物;以及包含In、Ga和Zn的氧化物。

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供