静电卡盘、工艺腔室和半导体处理设备

发明专利有效专利

申请号：
CN201810392513.X
IPC分类号：H01L21/683;H01L21/67;H01J37/32
申请日期：
2018-04-27
申请人：
北京北方华创微电子装备有限公司

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专利名称	静电卡盘、工艺腔室和半导体处理设备
申请号	CN201810392513.X	申请日期	2018-04-27
法律状态	授权	申报国家	暂无
公开/公告日	2019-11-05	公开/公告号	CN110416144A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/683 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/67 专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置〔8〕 H01L21/683 用于支承或夹紧的（用于定位、定向或对准的入H01L 21/68）〔8〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;6;8;3;;;H;0;1;L;2;1;/;6;7;;;H;0;1;J;3;7;/;3;2查看分类表>
申请人	北京北方华创微电子装备有限公司	申请人地址	北京市北京经济技术开发区文昌大道8号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	北京北方华创微电子装备有限公司	当前权利人	北京北方华创微电子装备有限公司
发明人	师帅涛;史全宇;陈鹏;赵梦欣
代理机构	北京天昊联合知识产权代理有限公司	代理人	暂无

摘要

本发明公开了一种静电卡盘、工艺腔室和半导体处理设备。静电卡盘包括卡盘本体，具有用于承载待测晶片的承载面；射频负偏压检测组件，用于检测待测晶片的射频负偏压，射频负偏压检测组件包括检测电极，至少部分内嵌于卡盘本体内；导电层，设置在承载面上且与检测电极电连接；半导体介质层，覆盖导电层且半导体介质层的背离卡盘本体的一侧面能承载至少部分待测晶片。利用射频负偏压检测组件与待测晶片之间形成单向导通的二极管结构，直接检测二极管的输出电压，得到射频负偏压，可以提高射频负偏压的检测精度，有效保护待测晶片，提高工艺良率，降低制作成本。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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