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包括穿通电极的半导体芯片以及测试该穿通电极的方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201910910572.6
  • IPC分类号:H01L25/065;H01L21/66
  • 申请日期:
    2019-09-25
  • 申请人:
    爱思开海力士有限公司
著录项信息
专利名称包括穿通电极的半导体芯片以及测试该穿通电极的方法
申请号CN201910910572.6申请日期2019-09-25
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2020-09-15公开/公告号CN111668194A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L25/065IPC分类号H;0;1;L;2;5;/;0;6;5;;;H;0;1;L;2;1;/;6;6查看分类表>
申请人爱思开海力士有限公司申请人地址
韩国京畿道 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人爱思开海力士有限公司当前权利人爱思开海力士有限公司
发明人崔善明
代理机构北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙)代理人许伟群;阮爱青
摘要
本申请公开了包括穿通电极的半导体芯片以及测试该穿通电极的方法。一种半导体芯片包括:第一半导体器件以及层叠在第一半导体器件之上的第二半导体器件。第二半导体器件经由多个穿通电极电连接到第一半导体器件。在测试模式下,第一半导体器件被配置为经由多个穿通电极来驱动逻辑电平的第一模式和逻辑电平的第二模式,被配置为将通过来自第一半导体器件和第二半导体器件的第一模式和第二模式而产生的多个测试数据的逻辑电平进行比较,以产生指示多个穿通电极正常运作或异常运作的检测信号。

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