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发光二极管及其形成方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200910132275.X
  • IPC分类号:H01L33/00
  • 申请日期:
    2009-04-30
  • 申请人:
    台湾积体电路制造股份有限公司
著录项信息
专利名称发光二极管及其形成方法
申请号CN200910132275.X申请日期2009-04-30
法律状态驳回申报国家暂无
公开/公告日2010-01-27公开/公告号CN101635328
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L33/00IPC分类号H;0;1;L;3;3;/;0;0查看分类表>
申请人台湾积体电路制造股份有限公司申请人地址
中国台湾新竹市 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人台湾积体电路制造股份有限公司当前权利人台湾积体电路制造股份有限公司
发明人余振华;余佳霖;邱文智;陈鼎元;林宏达
代理机构隆天国际知识产权代理有限公司代理人姜燕;陈晨
摘要

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