一种L波段低引导磁场紧凑型高功率微波器件

发明专利有效专利

申请号：
CN201811500555.7
IPC分类号：H01J23/24;H01J23/18
申请日期：
2018-12-10
申请人：
中国工程物理研究院应用电子学研究所

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著录项信息

专利名称	一种L波段低引导磁场紧凑型高功率微波器件
申请号	CN201811500555.7	申请日期	2018-12-10
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2019-04-12	公开/公告号	CN109616393A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01J23/24 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01J 放电管或放电灯（火花隙入H01T；消耗电极的弧光灯入H05B；粒子加速器入H05H） H01J23/00 H01J 25/00组中各种渡越时间型电子管的零部件 H01J23/16 具有分布电容和电感，在结构上与管子相连的，且与电子流相互作用的电路元件 H01J23/24 慢波结构	IPC分类号	H;0;1;J;2;3;/;2;4;;;H;0;1;J;2;3;/;1;8查看分类表>
申请人	中国工程物理研究院应用电子学研究所	申请人地址	四川省绵阳市游仙区919信箱1013分箱变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国工程物理研究院应用电子学研究所	当前权利人	中国工程物理研究院应用电子学研究所
发明人	张运俭;丁恩燕
代理机构	成都九鼎天元知识产权代理有限公司	代理人	管高峰

摘要

本发明提供了一种L波段低引导磁场紧凑型高功率微波器件，该方案包括有圆波导外筒、同轴内导体和阴极；圆波导外筒套设在同轴内导体外部；阴极设置在同轴内导体前端发射环形电子束；圆波导外筒上沿电子束传输方向上依次设置有微波反射腔、束波互作用腔、第一微波提取腔、第二微波提取腔；阴极发出的环形电子束在一次脉冲内经过四谐振腔结构后能够辐射产生频率为1.56GHz的高功率微波。该发明大幅度降低高功率微波源系统体积、重量，并可大幅度降低磁场对电源的能量需求。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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