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用于在半导体制造加工的CMP工艺中清洗晶圆的方法和系统

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201510735448.2
  • IPC分类号:H01L21/02;H01L21/67
  • 申请日期:
    2015-11-02
  • 申请人:
    台湾积体电路制造股份有限公司
著录项信息
专利名称用于在半导体制造加工的CMP工艺中清洗晶圆的方法和系统
申请号CN201510735448.2申请日期2015-11-02
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2016-10-12公开/公告号CN106024580A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/02IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;0;2;;;H;0;1;L;2;1;/;6;7查看分类表>
申请人台湾积体电路制造股份有限公司申请人地址
中国台湾新竹 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人台湾积体电路制造股份有限公司当前权利人台湾积体电路制造股份有限公司
发明人田家穎;薛家麟
代理机构北京德恒律治知识产权代理有限公司代理人章社杲;李伟
摘要
本发明提供了一种用于在化学机械抛光(CMP)工艺之后清洗半导体晶圆的方法。该方法包括将半导体晶圆提供至清洗模块中。该方法还包括通过使清洗刷组件旋转来清洗半导体晶圆。该方法也包括施加搅拌的清洗液以清洗清洗刷组件。本发明还提供一种在半导体制造加工的CMP工艺中清洗晶圆的系统。

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