金属氧化物半导体元件及其制造方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201110299755.2
IPC分类号：--
申请日期：
2011-10-08
申请人：
旺宏电子股份有限公司

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著录项信息

专利名称	金属氧化物半导体元件及其制造方法
申请号	CN201110299755.2	申请日期	2011-10-08
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2013-04-10	公开/公告号	CN103035710A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	旺宏电子股份有限公司	申请人地址	中国台湾新竹科学工业园区力行路16号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	旺宏电子股份有限公司	当前权利人	旺宏电子股份有限公司
发明人	陈建铨;李明东;连士进
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司	代理人	周国城

摘要

本发明公开了一种金属氧化物半导体元件及其制造方法，其中半导体元件包括额外的注入区，这些注入区位于元件的源极与漏极区中，用以改进元件特定导通电阻(Ron-sp)与崩溃电压(BVD)的特性。元件包括栅极电极，栅极电极形成于通道区之上，在元件衬底中通道区是分离第一与第二注入区。第一注入区具有第一导电型，第二注入区具有第二导电型。源极扩散区形成于第一注入区中，漏极扩散区形成于第二注入区中。

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