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具有空穴注入传输层的器件及其制造方法、以及用于形成空穴注入传输层的墨液

发明专利无效专利

申请号：
CN200980114948.7
IPC分类号：H01L51/50;H01L21/28;H01L29/417;H01L29/786;H01L51/05;H01L51/30;H05B33/10
申请日期：
2009-04-28
申请人：
大日本印刷株式会社

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	具有空穴注入传输层的器件及其制造方法、以及用于形成空穴注入传输层的墨液
申请号	CN200980114948.7	申请日期	2009-04-28
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2011-04-13	公开/公告号	CN102017216A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L51/50 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L51/20 （转入H01L 51/05，H01L 51/42，H01L 51/50） H01L51/50 专门适用于光发射的，如有机发光二极管（OLED）或聚合物发光器件（PLED）（有机半导体激光器入 H01S 5/36）〔8〕	IPC分类号	H;0;1;L;5;1;/;5;0;;;H;0;1;L;2;1;/;2;8;;;H;0;1;L;2;9;/;4;1;7;;;H;0;1;L;2;9;/;7;8;6;;;H;0;1;L;5;1;/;0;5;;;H;0;1;L;5;1;/;3;0;;;H;0;5;B;3;3;/;1;0查看分类表>
申请人	大日本印刷株式会社	申请人地址	日本国东京都变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	大日本印刷株式会社	当前权利人	大日本印刷株式会社
发明人	上野滋弘;冈田政人;桥本庆介
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司	代理人	张宝荣

摘要

本发明提供一种制造工艺简单且可以实现长寿命的器件。所述器件的特征在于，具有在基板上对置的2个以上电极和配置在其中的2个电极间的空穴注入传输层，所述空穴注入传输层含有钼络合物的反应产物或钨络合物的反应产物。

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