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电容器结构及其制作方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201310385804.3
IPC分类号：H01L21/02;H01L23/522
申请日期：
2013-08-29
申请人：
上海宏力半导体制造有限公司

基础信息

权利要求

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	电容器结构及其制作方法
申请号	CN201310385804.3	申请日期	2013-08-29
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2013-12-11	公开/公告号	CN103441061A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/02 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;0;2;;;H;0;1;L;2;3;/;5;2;2查看分类表>
申请人	上海宏力半导体制造有限公司	申请人地址	上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海华虹宏力半导体制造有限公司	当前权利人	上海华虹宏力半导体制造有限公司
发明人	高超
代理机构	上海思微知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	郑玮

摘要

本发明提出一种电容器结构及其制作方法，在浅沟道隔离层上形成第一多晶硅层和第一介质层，接着再依次形成第二多晶硅层、第二介质层以及第三多晶硅层，以第一多晶硅层、第二多晶硅层以及第三多晶硅层作为电极板，第一介质层以及第二介质层作为电极板间的介质层，从而在不增加电容面积的情况下，提高电容器的单位面积电容，节省半导体芯片的整体面积。

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