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具有U形隧穿绝缘层的绝缘栅隧穿双极晶体管及制造工艺

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201410742686.1
  • IPC分类号:H01L29/739;H01L29/423;H01L21/331
  • 申请日期:
    2014-12-08
  • 申请人:
    沈阳工业大学
著录项信息
专利名称具有U形隧穿绝缘层的绝缘栅隧穿双极晶体管及制造工艺
申请号CN201410742686.1申请日期2014-12-08
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2015-04-01公开/公告号CN104485353A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/739
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;7;3;9;;;H;0;1;L;2;9;/;4;2;3;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;1查看分类表>
申请人沈阳工业大学申请人地址
辽宁省沈阳市经济技术开发区沈辽西路111号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人沈阳工业大学当前权利人沈阳工业大学
发明人刘溪;靳晓诗
代理机构沈阳智龙专利事务所(普通合伙)代理人宋铁军;周楠
摘要
本发明涉及一种具有U形隧穿绝缘层的绝缘栅隧穿双极晶体管,通过U形隧穿绝缘层用于产生栅电极隧穿电流,并利用隧穿绝缘层阻抗与隧穿绝缘层内电场强度之间极为敏感的相互关系,使U形隧穿绝缘层在栅电极极短的电势变化区间内实现高阻态和低阻态之间的转换,对比现有技术可实现更好的开关特性;并通过双极放大明显改善了纳米级绝缘栅晶体管的正向导通特性,本发明还提出具有U形隧穿绝缘层的绝缘栅隧穿双极晶体管的具体制造方法。因此显著改善了纳米级集成电路单元的工作特性,适用于推广应用。

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