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一种可控制备ZnO薄膜的方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201410817466.0
  • IPC分类号:C23C20/08
  • 申请日期:
    2014-12-24
  • 申请人:
    北京科技大学
著录项信息
专利名称一种可控制备ZnO薄膜的方法
申请号CN201410817466.0申请日期2014-12-24
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2015-04-29公开/公告号CN104561964A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C23C20/08IPC分类号C;2;3;C;2;0;/;0;8查看分类表>
申请人北京科技大学申请人地址
北京市海淀区学院路30号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人北京科技大学当前权利人北京科技大学
发明人常永勤;储昭强;徐阳璐;张静;龙毅
代理机构北京市广友专利事务所有限责任公司代理人张仲波
摘要
本发明属于半导体材料生长技术领域,涉及一种在水溶液中低温制备高质量且形貌可控的ZnO薄膜的工艺。本发明在70℃的水溶液环境下通过Zn片和ZnCl2溶液反应的方法制备出高质量ZnO。首先采用砂纸打磨掉Zn片表面明显的污渍,然后用稀盐酸对Zn片进行清洗,之后用丙酮和去离子水分别进行超声清洗。再配制一定浓度的ZnCl2溶液(0.005mol/L‑0.09mol/L),将处理好的Zn片垂直放置到溶液中。最后在70℃的油浴环境下加热,得到高质量的ZnO薄膜。本发明直接在ZnCl2溶液中进行加热、不用调节碱度、操作简单、简化并缩短了干燥过程、降低了生产成本、并且没有引入其他杂质离子、解决了制备温度较高的问题和制备周期较长的问题。

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