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一种MOS触发负阻二极管及其制造方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201510891762.X
  • IPC分类号:H01L29/87;H01L29/06;H01L21/329
  • 申请日期:
    2015-11-30
  • 申请人:
    电子科技大学
著录项信息
专利名称一种MOS触发负阻二极管及其制造方法
申请号CN201510891762.X申请日期2015-11-30
法律状态撤回申报国家暂无
公开/公告日2016-04-27公开/公告号CN105529370A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/87
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;8;7;;;H;0;1;L;2;9;/;0;6;;;H;0;1;L;2;1;/;3;2;9查看分类表>
申请人电子科技大学申请人地址
四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人电子科技大学当前权利人电子科技大学
发明人陈万军;刘超;唐血锋;娄伦飞;张波
代理机构成都点睛专利代理事务所(普通合伙)代理人葛启函
摘要
本发明涉及半导体技术,特别涉及一种MOS触发负阻二极管(MOS-triggered Dynistor,简称MTD)及其制造方法。本发明提供了一种应用于脉冲功率领域的具有常关型MOS触发负阻二极管。相较于常规MCT,本发明MTD具有穿过N型源区连接阴极金属的P型基区凸起结构。阴极金属连接N型源区和P型基区凸起结构形成阴极短路,使器件具备常关特性,这样可简化驱动电路,增加了系统可靠性。本发明MTD工作模式为PNPN负阻二极管模式,具有很高的峰值电流和电流上升率,非常适合使用于脉冲功率领域。

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