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薄膜电容器及其制造方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN03820706.0
  • IPC分类号:H01G4/33H01L27/04
  • 申请日期:
    2003-08-15
  • 申请人:
    富士通株式会社
著录项信息
专利名称薄膜电容器及其制造方法
申请号CN03820706.0申请日期2003-08-15
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2005-10-05公开/公告号CN1679124
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01G4/33IPC分类号H01G4/33;H01L27/04查看分类表>
申请人富士通株式会社申请人地址
日本神奈川县*** 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人富士通株式会社当前权利人富士通株式会社
发明人栗原和明;盐贺健司;约翰·大卫·巴尼基
代理机构隆天国际知识产权代理有限公司代理人高龙鑫;王玉双
摘要
本发明提供一种包含单晶高介电常数电介质层的薄膜电容器。该薄膜电容器具有:单晶硅基板;在单晶硅基板上外延生长的单晶中间层;在单晶中间层上外延生长的单晶下部电极;在下部电极层上外延生长的单晶高介电常数电介质层;在单晶高介电常数电介质层上方形成的上部电极层;分别与下部电极层、上部电极层的多个位置连接的多个导电体凸起。

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