SRAM存储单元、SRAM电路及其读写方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201510458420.9
IPC分类号：G11C11/413
申请日期：
2015-07-30
申请人：
孤山电子科技（上海）有限公司

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著录项信息

专利名称	SRAM存储单元、SRAM电路及其读写方法
申请号	CN201510458420.9	申请日期	2015-07-30
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2015-11-18	公开/公告号	CN105070315A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G11C11/413 ? IPC结构图谱： G 物理 G9 G部其他 G11 信息存储 G11C 静态存储器（基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储入G11B；半导体存储器件入H01L，例如一般脉冲技术入H03K，例如，电子开关入H03K17/00） G11C11/00 以使用特殊的电或磁存储元件为特征而区分的数字存储器；为此所用的存储元件（G11C 14/00至G11C 21/00优先）〔5〕 G11C11/21 应用电元件的〔2〕 G11C11/34 应用半导体器件的〔2〕 G11C11/40 应用晶体管的〔2〕 G11C11/41 用正反馈形成单元的，即，不需要刷新或电荷再生的单元。例如，双稳态多谐振荡器或施密特（Schmitt）触发器〔5〕 G11C11/413 辅助电路，例如，用于寻址的、译码的、驱动的、写入的、读出的、定时的或省电的〔5〕	IPC分类号	G;1;1;C;1;1;/;4;1;3查看分类表>
申请人	孤山电子科技（上海）有限公司	申请人地址	上海市闵行区金都路4299号6幢1楼C67室变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	孤山电子科技（上海）有限公司	当前权利人	孤山电子科技（上海）有限公司
发明人	王旭;梁馨文;张译文
代理机构	上海思微知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	屈蘅

摘要

本发明提供了一种SRAM存储单元、SRAM电路及其读写方法，所述SRAM存储单元由参与写操作的第一、第二、第三、第四、第五、第六、第七MOS晶体管以及参与读操作第八、第九、第十MOS晶体管组成，第三MOS晶体管的栅极连接第一控制信号，第四MOS晶体管的栅极连接第二控制信号，第九MOS晶体管的栅极连接列选择信号，第十MOS晶体管的栅极连接字线，本发明可避免现有的数据感知型SRAM结构在半选状态中的功耗损失，并减少寄生电容对SRAM存储单元稳定性的影响，同时提高读写性能。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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