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柔性压力传感器及其介电层、介电层的制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202110496994.0
  • IPC分类号:G01L1/14
  • 申请日期:
    2021-05-07
  • 申请人:
    中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
著录项信息
专利名称柔性压力传感器及其介电层、介电层的制备方法
申请号CN202110496994.0申请日期2021-05-07
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2021-08-06公开/公告号CN113218543A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G01L1/14IPC分类号G;0;1;L;1;/;1;4查看分类表>
申请人中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所申请人地址
江苏省苏州市苏州工业园区若水路398号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所当前权利人中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
发明人潘革波;聂立璠;张龙;张少辉
代理机构深圳市铭粤知识产权代理有限公司代理人孙伟峰;武岑飞
摘要
提供了一种用于柔性压力传感器的介电层的制备方法,其包括:利用牺牲材料和聚合物基体材料形成固化薄膜;将所述固化薄膜置于牺牲材料去除溶液中以去除所述牺牲材料,从而形成具有三维多孔结构的介电层。还提供了一种由该制备方法制备形成的介电层以及具有该介电层的柔性压力传感器。本发明在介电层的制备过程中通过利用牺牲材料获得具有三维多孔结构的介电层,三维多孔的结构可以使介电层具有更加高的孔隙率,在应力作用下更容易形变,从而具有优异的弹性性能。

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