两步氮化法制备多孔氮化铝微粒或多孔氮化镓微粒的方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201110156819.3
IPC分类号：C01B21/072;C01B21/06;B82Y40/00
申请日期：
2011-06-14
申请人：
西安理工大学

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著录项信息

专利名称	两步氮化法制备多孔氮化铝微粒或多孔氮化镓微粒的方法
申请号	CN201110156819.3	申请日期	2011-06-14
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2011-12-28	公开/公告号	CN102295276A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C01B21/072 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C0 化学 C01 无机化学 C01B 非金属元素；其化合物（制备元素或二氧化碳以外无机化合物的发酵或用酶工艺入C12P 3/00；用电解法或电泳法生产非金属元素或无机化合物入C25B） C01B21/00 氮；其化合物 C01B21/06 氮与金属、硅或硼的二元化合物 C01B21/072 与铝〔3〕	IPC分类号	C;0;1;B;2;1;/;0;7;2;;;C;0;1;B;2;1;/;0;6;;;B;8;2;Y;4;0;/;0;0查看分类表>
申请人	西安理工大学	申请人地址	陕西省西安市金花南路5号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	西安理工大学	当前权利人	西安理工大学
发明人	颜国君
代理机构	西安弘理专利事务所	代理人	李娜

摘要

本发明公开了一种两步氮化法制备多孔AlN或多孔GaN微粒的方法，先将配好的原料放入坩埚，然后连同坩埚一起放入加热炉，进行合金的熔炼，再将合金冷却后进行破碎，把粉碎的合金粉末颗粒放入反应炉中。对反应炉抽真空并充入高纯氮气，加热合金粉末到500～750℃进行第一次氮化紧接着升温到850～1100℃进行第二次氮化，最后把氮化结束的合金粉末颗粒用酸浸泡，去除其中的B组分合金的氮化物，获得了多孔的A组分的氮化物，即多孔AlN微粒或多孔GaN微粒。本发明方法制备出孔直径为一百纳米到几十微米、颗粒粒径大小在几百纳米～几百微米数量级范围内、比表面积可达100m2/g的多孔AlN或GaN微粒。

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