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一种基于SOI工艺的GGNMOSESD保护器件结构

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202010339956.X
  • IPC分类号:H01L27/02
  • 申请日期:
    2020-04-26
  • 申请人:
    中国电子科技集团公司第五十八研究所
著录项信息
专利名称一种基于SOI工艺的GGNMOSESD保护器件结构
申请号CN202010339956.X申请日期2020-04-26
法律状态公开申报国家暂无
公开/公告日2020-08-07公开/公告号CN111508951A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L27/02IPC分类号H;0;1;L;2;7;/;0;2查看分类表>
申请人中国电子科技集团公司第五十八研究所申请人地址
江苏省无锡市滨湖区惠河路5号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中国电子科技集团公司第五十八研究所当前权利人中国电子科技集团公司第五十八研究所
发明人顾祥;张庆东;纪旭明;郑重
代理机构无锡派尔特知识产权代理事务所(普通合伙)代理人杨立秋
摘要
本发明公开了一种基于SOI工艺的GGNMOSESD保护器件结构,包括SAB层、P型掺杂源漏SP、N型掺杂源漏SN、多晶栅POLY、器件有源区TO、接触孔W1,将条型NMOS管的P型掺杂源漏进行分段,器件的体接触设计在每两段P型掺杂源漏之间,将条型NMOS管的P型掺杂源漏进行分段,器件的体接触设计在每两段P型掺杂源漏之间,该结构巧妙的将条型NMOS管的N型掺杂源漏进行分段,该分段对SN及SP注入层分别定义范围,工艺上通过光刻来实现,这样的设计一方面节省了面积,另一方面使得体接触更加充分;经TLP测试评价,同等面积下比传统SOIGGNMOS器件抗ESD能力明显提升1.2倍以上。

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