一种基于硅通孔技术的低通滤波器

发明专利有效专利

申请号：
CN201610533310.9
IPC分类号：H01L23/64
申请日期：
2016-07-08
申请人：
西安理工大学

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著录项信息

专利名称	一种基于硅通孔技术的低通滤波器
申请号	CN201610533310.9	申请日期	2016-07-08
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2016-11-23	公开/公告号	CN106158835A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/64 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/58 其他组不包含的，用于半导体器件的电结构装置〔5〕 H01L23/64 阻抗装置〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;6;4查看分类表>
申请人	西安理工大学	申请人地址	陕西省西安市高新区唐延南路东侧逸翠园-西安（二期）第3幢1单元12层11228号房变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	西安国创电子股份有限公司	当前权利人	西安国创电子股份有限公司
发明人	王凤娟;王刚;余宁梅
代理机构	西安智萃知识产权代理有限公司	代理人	张蓓

摘要

本发明属于滤波器，具体涉及一种基于硅通孔技术的低通滤波器，包括螺旋电感单元、重新布线层和硅通孔组件，所述螺旋电感单元由螺旋电感一和螺旋电感二组成，所述重新布线层包括输入端、输出端、接地金属、互连层一和互连层二，所述硅通孔组件中包括五个结构相同的同轴型硅通孔，分别为硅通孔一、硅通孔二、硅通孔三、硅通孔四和硅通孔五，所述同轴型硅通孔由外向内依次包括第一介质层、外金属层、第二介质层和金属芯层；本发明采用同轴型硅通孔实现垂直的电容器，相对于普通的平面结构电容器，大大缩小了电容器所占面积，将器件尺寸缩小到微米量级，不仅可以提高电路的集成度，而且节约成本。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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