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具有减少的电流拥挤效应的半导体MPS二极管及其制造方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202010203662.4
  • IPC分类号:H01L29/872;H01L29/06;H01L21/329
  • 申请日期:
    2020-03-20
  • 申请人:
    意法半导体股份有限公司
著录项信息
专利名称具有减少的电流拥挤效应的半导体MPS二极管及其制造方法
申请号CN202010203662.4申请日期2020-03-20
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2020-09-29公开/公告号CN111725329A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/872
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;8;7;2;;;H;0;1;L;2;9;/;0;6;;;H;0;1;L;2;1;/;3;2;9查看分类表>
申请人意法半导体股份有限公司申请人地址
意大利阿格拉布里安扎 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人意法半导体股份有限公司当前权利人意法半导体股份有限公司
发明人S·拉斯库纳;M·G·萨吉奥
代理机构北京市金杜律师事务所代理人董莘
摘要
本公开的各实施例涉及具有减少的电流拥挤效应的半导体MPS二极管及其制造方法。一种融合PN‑肖特基(MPS)二极管,包括N衬底、N‑漂移层、漂移层中的P掺杂区域、P掺杂区域上的欧姆接触、在P掺杂区域内并且是没有P掺杂区域的漂移层的部分的多个单元、在欧姆接触上和在所述单元上的阳极金属化部,以分别形成结势垒接触和肖特基接触。P掺杂区域具有网格形状的布局,该布局将每个单元彼此分离,并且与单元一起限定MPS二极管的有源区。每个单元具有在四边形、具有圆化拐角的四边形和圆形之中的同一几何形状;并且欧姆接触在掺杂区域处沿网格形状的布局连续延伸。

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