具有多个电压供应源的半导体封装结构及其制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202110473284.6
IPC分类号：H01L25/065;H01L23/498;H01L23/31;H01L21/98
申请日期：
2021-04-29
申请人：
南亚科技股份有限公司

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著录项信息

专利名称	具有多个电压供应源的半导体封装结构及其制备方法
申请号	CN202110473284.6	申请日期	2021-04-29
法律状态	公开	申报国家	中国
公开/公告日	2021-11-05	公开/公告号	CN113611691A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L25/065 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L25/00 由多个单个半导体或其他固态器件组成的组装件（在一共用基片内或其上形成的由多个固态组件组成的器件入H01L 27/00；光伏电池的光伏模块或者阵列入H01L 31/042）〔5〕 H01L25/03 所有包含在H01L 27/00至H01L 51/00各组中同一小组内的相同类型的器件，例如整流二极管的组装件〔5，8〕 H01L25/04 不具有单独容器的器件〔2014.01〕 H01L25/065 包含在H01L 27/00组类型的器件〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;5;/;0;6;5;;;H;0;1;L;2;3;/;4;9;8;;;H;0;1;L;2;3;/;3;1;;;H;0;1;L;2;1;/;9;8查看分类表>
申请人	南亚科技股份有限公司	申请人地址	中国台湾新北市变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	南亚科技股份有限公司	当前权利人	南亚科技股份有限公司
发明人	杨吴德
代理机构	隆天知识产权代理有限公司	代理人	谢强;黄艳

摘要

本公开提供一种半导体封装结构及其制备方法。该半导体封装结构具有一封装基底、一下元件晶粒、一上元件晶粒以及一额外封装基底。该下元件晶粒贴合在该封装基底上。该上元件晶粒贴合到该下元件晶粒上，而其主动侧是背对该下元件晶粒。多个晶粒输入/输出位于该上元件晶粒的该主动侧的一第一部分是电性连接到该封装基底。该额外封装基底是贴合到该上元件晶粒的该主动侧，且电性连接到该封装基底以及该上元件晶粒的所述晶粒输入/输出的一第二部分。

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