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半导体器件及其形成方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN202010506729.1
  • IPC分类号:H01L29/739;H01L23/34;H01L29/423;H01L21/331
  • 申请日期:
    2020-06-05
  • 申请人:
    中芯集成电路制造(绍兴)有限公司
著录项信息
专利名称半导体器件及其形成方法
申请号CN202010506729.1申请日期2020-06-05
法律状态撤回申报国家中国
公开/公告日2020-09-04公开/公告号CN111627995A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/739
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;7;3;9;;;H;0;1;L;2;3;/;3;4;;;H;0;1;L;2;9;/;4;2;3;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;1查看分类表>
申请人中芯集成电路制造(绍兴)有限公司申请人地址
浙江省绍兴市皋埠镇临江路518号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中芯集成电路制造(绍兴)有限公司当前权利人中芯集成电路制造(绍兴)有限公司
发明人徐达武;姜贯军
代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)代理人曹廷廷
摘要
本发明提供了一种半导体器件及其形成方法。半导体器件包括用于构成功能性晶体管的栅极结构和不构成功能性晶体管的伪栅极结构,从而可以在提高半导体器件的抗短路能力的基础上,维持器件的耐压性能。同时,还在伪栅极结构中还集成设置有集成半导体结构(包括具有PN结结构的温度传感器),从而可以有效提高半导体器件的空间利用率,并进一步提高具有功率晶体管的半导体器件的性能。

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