有源式场发射基板与有源式场发射显示器

发明专利无效专利

申请号：
CN200810002648.7
IPC分类号：H01J1/304;H01J29/04;H01J31/12
申请日期：
2008-01-14
申请人：
大同股份有限公司

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专利名称	有源式场发射基板与有源式场发射显示器
申请号	CN200810002648.7	申请日期	2008-01-14
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2009-07-22	公开/公告号	CN101488430
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01J1/304 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01J 放电管或放电灯（火花隙入H01T；消耗电极的弧光灯入H05B；粒子加速器入H05H） H01J1/00 电极的、磁控装置的、屏的零部件及其设置或间隔，通用于两种以上基本类型的放电管或灯的零部件（电子光学装置的零部件或离子阱的零部件入H01J 3/00） H01J1/02 主电极 H01J1/30 冷阴极 H01J1/304 场致发射阴极〔7〕	IPC分类号	H;0;1;J;1;/;3;0;4;;;H;0;1;J;2;9;/;0;4;;;H;0;1;J;3;1;/;1;2查看分类表>
申请人	大同股份有限公司	申请人地址	中国台湾台北市变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	大同股份有限公司	当前权利人	大同股份有限公司
发明人	杨宗翰;林彦榕
代理机构	北京市柳沈律师事务所	代理人	彭久云

摘要

本发明公开了一种有源式场发射基板和有源式场发射显示器。该有源式场发射基板包括一个薄膜晶体管基板以及一个场发射元件基板。前述薄膜晶体管基板具有多个薄膜晶体管，其中每一薄膜晶体管至少包括源极、漏极与栅极。而场发射元件基板是位于薄膜晶体管基板上且具有多个导电沟道以及多个场发射源，其中每一导电沟道贯穿场发射元件基板并分别与每一场发射源电性相连。而且，前述场发射元件基板的每一导电沟道分别与薄膜晶体管基板的每一薄膜晶体管中的源极或漏极电性导通。由于上述有源式场发射基板是由两个利用分开的工艺得到的基板组合而成，所以可简化流程，提升成品率。

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