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等离子体处理装置用的载置台以及等离子体处理装置

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200710140387.0
  • IPC分类号:H01L21/683;H01L21/67
  • 申请日期:
    2007-08-10
  • 申请人:
    东京毅力科创株式会社
著录项信息
专利名称等离子体处理装置用的载置台以及等离子体处理装置
申请号CN200710140387.0申请日期2007-08-10
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2008-02-13公开/公告号CN101123200
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/683IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;6;8;3;;;H;0;1;L;2;1;/;6;7查看分类表>
申请人东京毅力科创株式会社申请人地址
日本东京都 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人东京毅力科创株式会社当前权利人东京毅力科创株式会社
发明人舆石公;桧森慎司;松山昇一郎
代理机构北京尚诚知识产权代理有限公司代理人龙淳
摘要
本发明涉及等离子体处理装置用的载置台及有该载置台的等离子体处理装置,其能提高等离子体中电场强度的面内均匀性,能对基板进行面内均匀性高的等离子体处理。等离子体处理装置(1)用的载置台(2)包括:兼作等离子体生成用等的下部电极(21)的导电体部件;电介体层(22),以覆盖导电体部件上面中央部的方式设置,用于使通过被处理基板(晶片W)向等离子体施加的高频电场均匀;和静电卡盘,层积在电介体层(22)上,以高频能够通过其间的方式埋设有在载置台径向上互相隔离并分割为多个的电极膜。电介体层(22)的外边缘位于分割的电极膜(23b、23d)的隔离区域(23c)内边缘的正下方或更靠外侧,分割的电极膜(23b、23d)相对于高频互相绝缘。

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