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高强高模有机硅改性PI/SiO2杂化薄膜的制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201310419719.4
  • IPC分类号:C08G73/10;C08L79/08;C08K3/36;C08J5/18
  • 申请日期:
    2013-09-13
  • 申请人:
    华南师范大学
著录项信息
专利名称高强高模有机硅改性PI/SiO2杂化薄膜的制备方法
申请号CN201310419719.4申请日期2013-09-13
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2014-01-01公开/公告号CN103483585A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C08G73/10IPC分类号C;0;8;G;7;3;/;1;0;;;C;0;8;L;7;9;/;0;8;;;C;0;8;K;3;/;3;6;;;C;0;8;J;5;/;1;8查看分类表>
申请人华南师范大学申请人地址
广东省广州市大学城华南师范大学化学与环境学院 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人华南师范大学当前权利人华南师范大学
发明人石光;陈银珊;黄雨鸣;陈建平
代理机构广州嘉权专利商标事务所有限公司代理人郑莹
摘要
本发明公开了一种高强高模有机硅改性PI/SiO2杂化薄膜的制备方法,包括以下步骤:1)将氨基硅烷偶联剂与芳香族二酐在溶剂中进行充分的反应;2)将芳香族二胺溶于溶剂中制成溶液,向此溶液中加入步骤1)的体系、芳香族二酐、正硅酸乙酯进行聚合反应得到有机硅改性聚酰胺酸溶液;3)将上步得到的有机硅改性聚酰胺酸溶液稀释,再涂覆到支撑体上,烘烤得到薄膜;4)将薄膜升温脱水交联,制得产物。本发明制得的杂化膜具有较高的拉伸强度与弹性模量,避免了常规加入溶胶-凝胶状态二氧化硅给体系带来大量水的弊端,本发明提出的制备方法能很好地控制反应的均匀性和准确性,实验周期短,工艺简单,适合工业化生产。

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