NAND快闪阵列缺陷实时检测

发明专利有效专利

申请号：
CN202110590118.4
IPC分类号：G11C29/44;G11C29/50
申请日期：
2021-05-28
申请人：
美光科技公司

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著录项信息

专利名称	NAND快闪阵列缺陷实时检测
申请号	CN202110590118.4	申请日期	2021-05-28
法律状态	公开	申报国家	中国
公开/公告日	2021-12-03	公开/公告号	CN113744794A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G11C29/44 ? IPC结构图谱： G 物理 G9 G部其他 G11 信息存储 G11C 静态存储器（基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储入G11B；半导体存储器件入H01L，例如一般脉冲技术入H03K，例如，电子开关入H03K17/00） G11C29/00 存储器正确运行的校验；备用或离线操作期间测试存储器〔1，8〕 G11C29/04 损坏存储元件的检测或定位〔8〕 G11C29/08 功能测试，例如，在刷新、通电自检〔POST〕或分布型测试期间的测试〔8〕 G11C29/12 用于测试的内置装置，例如，内置的自检装置〔BIST〕〔8〕 G11C29/44 错误指示或识别，例如，修复〔8〕	IPC分类号	G;1;1;C;2;9;/;4;4;;;G;1;1;C;2;9;/;5;0查看分类表>
申请人	美光科技公司	申请人地址	美国爱达荷州变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	美光科技公司	当前权利人	美光科技公司
发明人	郭晓江;辉俊胜;M·皮卡尔迪;M·特里帕蒂
代理机构	北京律盟知识产权代理有限责任公司	代理人	彭晓文

摘要

本申请案涉及NAND快闪阵列缺陷实时检测。一种存储器装置包括：存储器阵列；字线驱动器电路，其包含经配置以产生施加到字线的程序电压目标以对所述存储器阵列的存储器单元进行编程的电荷泵电路及根据泵电路输出电压与所述程序电压目标的比较来使用控制信号激活所述电荷泵电路的控制回路；传感器电路，其在所述电荷泵电路输出达到所述程序电压目标之后比较所述控制信号的占空比与指定占空比及根据所述占空比提供由所述电荷泵电路产生的电流的指示；及逻辑电路系统，其在由所述电荷泵电路产生的所述电流大于指定阈值电流时产生故障指示。

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该专利没有引用任何外部专利数据！

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