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用于形成具有含碳区域的功率器件的结构和方法

发明专利有效专利

申请号：
CN200880120997.7
IPC分类号：H01L23/48
申请日期：
2008-12-15
申请人：
飞兆半导体公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	用于形成具有含碳区域的功率器件的结构和方法
申请号	CN200880120997.7	申请日期	2008-12-15
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2011-02-09	公开/公告号	CN101971331A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/48 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/48 用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;4;8查看分类表>
申请人	飞兆半导体公司	申请人地址	美国缅因州变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	飞兆半导体公司	当前权利人	飞兆半导体公司
发明人	潘南西
代理机构	北京康信知识产权代理有限责任公司	代理人	李丙林;张英

摘要

本发明提供了一种场效应晶体管(FET)，包括在第二导电类型的半导体区上方的第一导电类型的本体区。本体区与半导体区形成p-n结。第二导电类型的源极区在本体区上方延伸。源极区与本体区形成p-n结。栅电极邻近于本体区延伸但是通过栅极电介质与本体区绝缘。含碳区域在本体区下面的半导体区中延伸。

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