一种碳化硅粉体颗粒长大的方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202110584891.X
IPC分类号：C30B9/12;C30B28/04;C30B29/36
申请日期：
2021-05-27
申请人：
西安博尔新材料有限责任公司

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专利名称	一种碳化硅粉体颗粒长大的方法
申请号	CN202110584891.X	申请日期	2021-05-27
法律状态	实质审查	申报国家	暂无
公开/公告日	2021-08-31	公开/公告号	CN113322509A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B9/12 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B9/00 使用熔融态溶剂之熔体的单晶生长（用正常凝固法或温度梯度凝固法的入C30B 11/00；用区域熔融法的入C30B 13/00；晶体提拉法入C30B 15/00；在浸入的晶种上的入C30B 17/00；液相外延生长法入C30B 19/00；在保护流体下的入C30B 27/00）〔3〕 C30B9/04 熔融溶液冷却法〔3〕 C30B9/08 使用其他溶剂的〔3〕 C30B9/12 盐溶剂，例如助熔剂生长〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;9;/;1;2;;;C;3;0;B;2;8;/;0;4;;;C;3;0;B;2;9;/;3;6查看分类表>
申请人	西安博尔新材料有限责任公司	申请人地址	陕西省西安市航空基地蓝天六路7号B09-1 变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	西安博尔新材料有限责任公司	当前权利人	西安博尔新材料有限责任公司
发明人	樊子民;王晓刚
代理机构	西安创知专利事务所	代理人	马小燕

摘要

本发明公开了一种碳化硅粉体颗粒长大的方法，该方法包括：一、将可溶性无机盐加热至熔融温度搅拌，冷却后磨细过筛得到熔盐粉；二、将熔盐粉与碳化硅粉体配比并混合均匀得到混合物；三、将混合物在熔盐粉的共熔温度以上保温得到熔融物；四、将熔融物冷却至室温后研磨，经洗涤、静置和干燥，得到长大的碳化硅粉体颗粒。本发明采用可溶性无机盐为熔盐体系，与碳化硅粉体混合共熔，使得小的碳化硅颗粒优先溶解，并在大的碳化硅颗粒上沉淀而逐渐长大，同时部分杂质也会通过熔盐而除去，有利于碳化硅晶体的生长，提高了长大的碳化硅粉体颗粒的质量纯度。

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