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形成多引线框半导体器件的结构和方法

发明专利有效专利

申请号：
CN03123276.0
IPC分类号：H01L25/00;H01L23/48;H01L23/28;H01L21/50
申请日期：
2003-04-25
申请人：
半导体元件工业有限责任公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	形成多引线框半导体器件的结构和方法
申请号	CN03123276.0	申请日期	2003-04-25
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2003-11-26	公开/公告号	CN1458691
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L25/00 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L25/00 由多个单个半导体或其他固态器件组成的组装件（在一共用基片内或其上形成的由多个固态组件组成的器件入H01L 27/00；光伏电池的光伏模块或者阵列入H01L 31/042）〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;5;/;0;0;;;H;0;1;L;2;3;/;4;8;;;H;0;1;L;2;3;/;2;8;;;H;0;1;L;2;1;/;5;0查看分类表>
申请人	半导体元件工业有限责任公司	申请人地址	美国亚利桑那变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	半导体元件工业有限责任公司	当前权利人	半导体元件工业有限责任公司
发明人	詹姆斯·霍华德·克纳普;斯蒂芬·ST·格尔梅恩
代理机构	中国国际贸易促进委员会专利商标事务所	代理人	王永刚

摘要

半导体器件(20)具有第一引线框(200)，第一半导体管芯(70)与其引线之一电耦连。第二半导体管芯(13)装配到第二引线框(300)上，后者的第一引线(35、150)与第二半导体管芯电耦连，而第二引线(30、35)装配到第一引线框的引线上。

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