具有磁性隧道接合部的薄膜磁体存储装置

发明专利无效专利

申请号：
CN02119916.7
IPC分类号：G11C11/15
申请日期：
2002-05-16
申请人：
三菱电机株式会社

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著录项信息

专利名称	具有磁性隧道接合部的薄膜磁体存储装置
申请号	CN02119916.7	申请日期	2002-05-16
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2002-12-18	公开/公告号	CN1385860
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G11C11/15 ? IPC结构图谱： G 物理 G9 G部其他 G11 信息存储 G11C 静态存储器（基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储入G11B；半导体存储器件入H01L，例如一般脉冲技术入H03K，例如，电子开关入H03K17/00） G11C11/00 以使用特殊的电或磁存储元件为特征而区分的数字存储器；为此所用的存储元件（G11C 14/00至G11C 21/00优先）〔5〕 G11C11/02 应用磁性元件的 G11C11/14 应用薄膜元件的 G11C11/15 应用多层磁性层的（G11C 11/155优先）〔2〕	IPC分类号	G;1;1;C;1;1;/;1;5查看分类表>
申请人	三菱电机株式会社	申请人地址	日本东京都变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	瑞萨电子株式会社	当前权利人	瑞萨电子株式会社
发明人	日高秀人
代理机构	中国专利代理（香港）有限公司	代理人	马铁良;叶恺东

摘要

在读出数据之前，各位线(BL)及源线(SL)被预充电至电源电压(VDD)。在读出数据时，只在被选存储单元列内，对应的位线(BL)与数据总线(DB)耦合，同时对应的源线(SL)在接地电压(VSS)下被驱动。在非被选存储单元列中，各位线(BL)及源线(SL)保持预充电过的电源电压(VDD)。由于不直接作用于数据读出，在非被选存储单元列所对应的位线(BL)中不产生充放电电流，因而可以降低在数据读出时的消耗电力。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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