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改善BITO断裂的阵列基板及其制作方法与液晶显示面板

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201610700925.6
  • IPC分类号:H01L21/84;H01L27/12;G02F1/136
  • 申请日期:
    2016-08-22
  • 申请人:
    武汉华星光电技术有限公司
著录项信息
专利名称改善BITO断裂的阵列基板及其制作方法与液晶显示面板
申请号CN201610700925.6申请日期2016-08-22
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2016-11-30公开/公告号CN106169441A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/84
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;8;4;;;H;0;1;L;2;7;/;1;2;;;G;0;2;F;1;/;1;3;6查看分类表>
申请人武汉华星光电技术有限公司申请人地址
湖北省武汉市东湖开发区高新大道666号生物城C5栋 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人武汉华星光电技术有限公司当前权利人武汉华星光电技术有限公司
发明人张占东;陈辰
代理机构深圳市铭粤知识产权代理有限公司代理人孙伟峰
摘要
本发明公开了一种改善BITO断裂的阵列基板的制作方法,包括:在基板上制作形成低温多晶硅薄膜晶体管;在所述低温多晶硅薄膜晶体管上表面形成有机膜层;在所述有机膜层上制备公共电极;其中,在所述有机膜层上制备公共电极步骤之前先对所述有机膜层疏水处理。本发明还公开了一种改善BITO断裂的阵列基板及液晶显示面板。通过在阵列基板的有机膜层上制备公共电极步骤之前先对有机膜层疏水处理,降低了有机膜层界面处透明公共电极的蚀刻速率,避免了钝化层断裂造成的BITO异常。

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