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用于功率半导体装置的边缘终端结构

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201210378170.4
  • IPC分类号:H01L29/06;H01L29/78
  • 申请日期:
    2012-10-08
  • 申请人:
    飞兆半导体公司
著录项信息
专利名称用于功率半导体装置的边缘终端结构
申请号CN201210378170.4申请日期2012-10-08
法律状态撤回申报国家中国
公开/公告日2013-04-10公开/公告号CN103035673A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/06IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;0;6;;;H;0;1;L;2;9;/;7;8查看分类表>
申请人飞兆半导体公司申请人地址
美国加利福尼亚州 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人飞兆半导体公司当前权利人飞兆半导体公司
发明人金洙丘;约瑟夫·安德鲁·叶季纳科;何宜修
代理机构北京康信知识产权代理有限责任公司代理人张英;王玉桂
摘要
本发明提供了一种用于功率半导体装置的边缘终端结构。该功率半导体装置(或功率装置)包括:在其上具有外延层的基板;形成在该外延层中的基本上平行的有源沟槽阵列,其中该有源沟槽包括具有绝缘栅极导电层的晶体管结构;在有源沟槽附近的超结或屏蔽区域;在有源沟槽周围的外围沟槽;以及在外延层的上表面内的源极接触区域,其中,栅极导电层在超结或屏蔽区域的上方并在周围的外围沟槽的上方延伸。这样的构造允许在包含PN超结结构的功率MOSFET装置中以宽范围的击穿电压使用该边缘终端结构。描述了其他实施方式。

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