一种使用MRAM的固态硬盘及读写方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201510155554.3
IPC分类号：G06F3/06;G06F12/08
申请日期：
2015-04-02
申请人：
上海磁宇信息科技有限公司

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著录项信息

专利名称	一种使用MRAM的固态硬盘及读写方法
申请号	CN201510155554.3	申请日期	2015-04-02
法律状态	驳回	申报国家	中国
公开/公告日	2016-06-01	公开/公告号	CN105630404A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G06F3/06 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G06 计算；推算；计数 G06F 电数字数据处理（基于特定计算模型的计算机系统入G06N） G06F3/00 用于将所要处理的数据转变成为计算机能够处理的形式的输入装置；用于将数据从处理机传送到输出设备的输出装置，例如，接口装置〔4〕 G06F3/06 来自记录载体的数字输入，或者到记录载体上去的数字输出	IPC分类号	G;0;6;F;3;/;0;6;;;G;0;6;F;1;2;/;0;8查看分类表>
申请人	上海磁宇信息科技有限公司	申请人地址	上海市嘉定区城北路235号二号楼二层变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海磁宇信息科技有限公司	当前权利人	上海磁宇信息科技有限公司
发明人	戴瑾
代理机构	上海容慧专利代理事务所（普通合伙）	代理人	于晓菁

摘要

本发明提供一种固态硬盘，包括主控芯片、用于存储数据的一组NAND芯片，NAND芯片与主控芯片连接，固态硬盘还包括MRAM，MRAM与主控芯片连接，MRAM包括读写缓存与逻辑地址与物理地址对照表缓存。本发明提供的固态硬盘及读写方法，MRAM包括读写缓存，能够保证写入性能；由于不使用DDRDRAM，无需使用昂贵又占体积的断电保护设备，降低了固态硬盘的成本，同时降低了固态硬盘的功耗；MRAM包括逻辑地址与物理地址对照表缓存，能够使用容量较小的MRAM处理逻辑地址与物理地址对照表，在减少写NAND的次数延长NAND寿命同时进一步降低固态硬盘的成本。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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